Per la prima volta un chip basato sul silicio ha raggiunto la velocità di 500 Gigahertz, aprendo la strada a una nuova generazione di processori. Il record è stato stabilito da uno studio della Georgia Tech University in collaborazione con l'IBM e la NASA, ed è pubblicato nel numero di giugno della rivista IEEE Electron Device Letters. La velocità è stata raggiunta alla temperatura dell'elio liquido, 4,5 kelvin, ma secondo i ricercatori questo comportamento potrà essere addirittura migliorato fino a raggiungere l'ordine di grandezza del Terahertz a temperatura ambiente. I nuovi chip potranno essere applicati a sistemi di comunicazione e difesa oltre che nelle stazioni spaziali e per sensori.

L'ingrediente innovativo dei nuovi transistor è il germanio: l'introduzione di questo metallo nella struttura del silicio, un'operazione relativamente economica, permette infatti il raggiungimento di prestazioni finora riservate a semiconduttori molto più costosi. "Questo lavoro ridefinisce i limiti superiori raggiungibili utilizzando le tecniche di nanotecnologia silicio-germanio" ha detto John Cressler, ricercatore del laboratorio di Georgia Tech che ha sviluppato il transistor.

Il prototipo di transistor bipolare silicio-germanio eterogiunto messo a punto dai ricercatori si basa su un wafer di silicio normalmente fabbricato dall'IBM dello spessore di 200 millimetri, e alcune simulazioni hanno mostrato che questa tecnologia, se ottimizzata, può supportare velocità molto maggiori dei 500 Ghz misurati. Il prossimo passo sarà cercare di capire la fisica alla base del comportamento dei chip, per poter effettuare questa ottimizzazione. "Questo nuovo record ci incoraggia a proseguire sulla strada dei circuiti silicio-germanio." ha detto Cressler "Ci sono ancora molti frutti da raccogliere da questa tecnologia se investiremo abbastanza".